MOSFET-транзисторы
MOSFET Vishay для силовой электроники и систем питания: низкие потери, широкий выбор корпусов (SMD/through-hole),
решения для промышленности и автоэлектроники. Подбор по напряжению/току, RDS(on), заряду затвора (Qg)
и тепловому режиму.
Для запроса используйте кнопку «Запросить подбор» в шапке и укажите:
VDS, ID, целевой RDS(on), корпус, условия охлаждения/плату, количество и срок.
Примечание: изображение — схематичная иллюстрация типовых корпусов и изделий категории.
Ключевые параметры для подбора
Электрические
• VDS (напряжение сток–исток)• ID (ток), SOA
• RDS(on) (потери проводимости)
• Qg, Qgd (потери переключения)
Тепловые/механические
• Корпус (SMD/TH)• RthJA / RthJC
• Условия охлаждения/плата
• Температурный диапазон
Применение
• DC/DC, SMPS, драйверы• Инверторы/приводы
• Защита и коммутация
• Automotive/Industrial
Популярные подтипы
N-канальные MOSFET
Основной выбор для силовых ключей: низкие потери, широкий спектр корпусов.
P-канальные MOSFET
Удобны для верхнего ключа и схем защиты/коммутации при определённых топологиях.
Automotive / AEC-Q
Решения для автоэлектроники с повышенными требованиями к надёжности и условиям эксплуатации.
Ресурсы по теме
Библиотека документов →
Популярные серии и полезные страницы
MOSFET Vishay: подбор по потерям и тепловому режиму
Для корректного выбора MOSFET учитывайте режимы коммутации, частоту, драйвер затвора и условия теплоотвода.
При замене важно сопоставлять не только VDS и ID, но и RDS(on), Qg, SOA и Rth.
Мы помогаем подбирать эквиваленты и альтернативы с учётом доступности, корпусов и сроков.